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型号 SI7772DP-T1-GE3
厂商 Vishay Siliconix
描述 MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
SI7772DP-T1-GE3 PDF
代理商 SI7772DP-T1-GE3
标准包装 1
系列 SkyFET®, TrenchFET®
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 35.6A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 13 毫欧 @ 15A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 28nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 1084pF @ 15V
功率 - 最大 29.8W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 PowerPAK? SO-8
供应商设备封装 PowerPAK? SO-8
包装 标准包装
其它名称 SI7772DP-T1-GE3DKR
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